TSMC запустит 4- и 3-нм техпроцесс уже в 2022 г., а 2-нм — чуть позже

По данным ресурса www.anandtech.com ведущий мировой чипмейкер — компания TSMC в ближайшие три года намерена вложить 100 млрд долл. США в НИОКР и развитие своих производственных мощностей, причём около трети этой суммы практически наверняка будет освоено уже в текущем году.

Около 80% из этих приблизительно 30 млрд пойдут на расширение линий по выпуску 6/7-нм, 4/5-нм и 3-нм чипов, примерно 10% — на совершенствование технологий упаковки чипов и создания литографических масок, и оставшиеся почти 10% — на «особые нужды», включая ввод в строй осовремененных линий для выпуска микросхем по более крупномасштабным техпроцессам (нехваткой именно таких СБИС в первую очередь обусловлен нынешний кризис в автомобильном производстве).

В 2021 г., как ожидает TSMC, ее 5-нм производство обеспечит не менее 20% выручки компании от поставок микропроцессоров. Количество клиентов, желающих прямо сейчас либо в ближайшем будущем размещать заказы на изготовление 5-нм и 3-нм чипов, уже сейчас растёт более высокими темпами, чем в аналогичной ситуации (на ранних стадиях организации потокового производства) оно росло для 7-нм техпроцесса.

Бурный рост спроса на продукцию TSMC объясняется, в частности, более привлекательными характеристиками ее технологий по сравнению с теми, что могут предложить конкуренты. Так, по оценке аналитиков China Renaissance, 5-нм технологический процесс TSMC N5 обеспечивает плотность изготавливаемых чипов на уровне 170 млн транзисторов на квадратный миллиметр, тогда как освоенный к настоящему времени Samsung Foundry процесс 5LPE — только около 125 млн, а 10-нм техпроцесс Intel — и вовсе всего лишь 100 млн транзисторов на мм².

Ближе к концу текущего года TSMC планирует запустить в серию производство чипов по процессу N4 (всесторонне усовершенствованному и несколько миниатюризованному варианту N5, формально также относимому к категории 5 нм), а во второй половине 2022-го — N3. В этом 3-нм техпроцессе ожидаемый прирост производительности готового чипа по сравнению с 5-нм при той же архитектуре и потребляемой мощности составляет 10-15%, рост энергоэффективности — на 25-30%, а увеличение плотности размещения транзисторов — до 1,7 крат.