По сообщениям источников в ИТ-индустрии, на которые ссылается Digitimes, инженеры Samsung Electronics сталкиваются с целым рядом технических сложностей при освоении 3-нм техпроцесса, преодолеть которые им пока не удаётся. В частности, называются проблемы с утечкой тока через транзисторный затвор, и пока что причину даже не удаётся локализовать.
В связи с этим вывод 3-нм технологии Samsung Electronics на уровень серийного производства ожидается теперь не ранее 2023 г., — а это означает отставание как минимум на полгода от тайваньский TSMC, уверенно налаживающей в настоящее время свой 3-нм техпроцесс и одновременно развивающей следующие, 2-нм производственные нормы.
Вдобавок (и это тоже информация от неназванных источников Digitimes из полупроводниковой индустрии), используемая Samsung Electronics 3-нм технология транзистора с полным затвором (GAA) выходит более затратной и потому менее конкурентной, чем очередная модификация хорошо освоенной чипмейкерами технологии FinFET, на которую сделала ставку в своих 3-нм изысканиях TSMC.
