Исследовательская группа в составе представителей Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Национального университета Тайваня (NTU) и Массачусетского технологического института (MIT) опубликовали в Nature результаты своих изысканий в области дальнейшей миниатюризации технологических процессов при создании полупроводниковых приборов.
Применяя вместо кремния висмут и оперируя двумерными материалами (фактически, плёнками одноатомной толщины), исследователи смогли добиться значительного снижения сопротивления и роста силы тока в соединениях с характерным масштабом вблизи физического предела размерности полупроводниковых приборов, когда на их состояние начинают оказывать ощутимое воздействие квантовые эффекты.
Это позволит в перспективе выйти на промышленную технологическую норму производства 1 нм.
