На проходившей в Калифорнии в начале августа конференции Flash Memory Summit было представлено несколько новых решений в области твердотельной памяти.
Так, компания Samsung Electronics рассказала о своей разработке твердотельных накопителей Memory-semantic SSD, которые, как утверждается, сочетают преимущества запоминающих устройств и оперативной памяти DRAM. Как разъясняет Samsung, эти накопители используют высокоскоростные интерконнекты Compute Express Link (CXL) и встроенную память DRAM, что позволяет улучшить скорость выборочного чтения данных и уменьшить задержки доступа данным до 20 раз по сравнению с обычными твердотельными дисками.
Накопители Memory-semantic SSD оптимизированы для максимальной скорости чтения и записи небольших блоков данных и поэтому, как считает Samsung, великолепно подойдут для приложений искусственного интеллекта и машинного обучения, которым выполняют быструю обработка множества таких блоков.
Хотя в ходе презентации Samsung были продемонстрированы фото двух накопителей Memory-semantic SSD, никаких технических деталей и сроков начала производства компания не приводит.
А корпорация Kioxia (бывшая Toshiba Memory) предварительно анонсировала новое поколение своей твердотельной памяти XL-FLASH, которая использует ее фирменную технологию BiCS FLASH 3D и позиционируется как решение класса Storage Class Memory (SCM).
Благодаря новому функционалу multi-level cell (MLC), позволяющему записывать в ячейку памяти два бита вместо одного, новое поколение XL-FLASH значительно уменьшит стоимость 1 Гбайта по сравнению с представленным в 2019 г. первым поколением, использующим single-level cell (SLC). Кроме того, улучшится производительность накопителей на базе XL-FLASH и уменьшатся задержки доступа к данным, а максимальная емкость модулей памяти возрастет за счет MLC c 128 до 256 гигабит (32 Гбайт).
Опытные образцы второго поколения XL-FLASH корпорация планирует выпустить в ноябре, а в следующем году приступить к серийному производству новой твердотельной памяти.
