Компания Kioxia наметила на первый квартал текущего года начало рассылки предсерийных образцов новой памяти. Единичные чипы этой памяти, готовые к распаиванию на печатных платах, характеризуются ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт) и скомпонованы из NAND-ячеек TLC (три бита хранимых данных на одну ячейку). Разработанный и внедрённый на новейших фабриках компании Kioxia (Yokkaichi Plant и Kitakami Plant) 112-слойный процесс вертикального стекирования слоёв полупроводниковых ячеек позволяет почти на 20% нарастить ёмкость единичного чипа флэш-памяти (при неизменности его геометрической площади) по сравнению с наиболее передовым на сегодня 96-слойным техпроцессом.
Трёхмерная 112-слойная флэш-память пятого поколения BiCS — совместная разработка Kioxia и Western Digital. Новая технология за счёт увеличения числа доступных ячеек на единицу площади позволяет удешевить как производство самой флэш-памяти (поскольку с кремниевой заготовки стандартного размера выходит теперь больше Гбайт памяти), так и выпуск готовых продуктов на её основе. Современные средства мобильной связи (в особенности 5G), полупроводниковые накопители для ноутбуков и серверов, автомобильные бортовые ИТ-системы нуждаются во всё больших объёмах хранилищ данных. И чем дешевле те будут обходиться в производстве, тем более привлекательной окажется конечная цена новейших высокотехнологичных продуктов — и тем успешнее, можно ожидать, пойдут их продажи.
