В ходе прошедшей 26 июля онлайн-конференции Intel Accelerated официальные представители компании сделали ряд весьма амбициозных заявлений. В частности, генеральный директор Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) озвучил план американского чипмейкера выйти на уровень технологического паритета с TSMC и SEC (по масштабу коммерчески освоенных технологических процессов) уже к 2024 г., а в 2025 г. вернуть себе безоговорочное первенство в области микропроцессорного производства.

Кроме того, Intel объявила о готовности начать выпуск чипов в качестве ODM-партнёра для как минимум двух крупнейших американских заказчиков: Qualcomm и Amazon.

На онлайн-конференции было также обнародовано переименование технологических процессов, намеченных Intel к освоению, в рамках своего нового roadmap. Само упоминание физических мер длины уходит из названий техпроцессов компании. Справедливости ради стоит отметить, что ещё начиная примерно со времён «45 нм» обозначающее технологическую норму число перестало обозначать фактическое расстояние между соседними транзисторами на полупроводниковой подложке и превратилось по большей части в маркетинговый символ.

В рамках нового roadmap, например, находящийся сейчас в активной разработке инженерами Intel технологический процесс, ранее известный как 10nm Enhanced SuperFin (призванный обеспечить прирост производительности в пересчёте на ватт на 10-15% по сравнению с уже коммерчески освоенным «просто» 10nm SuperFin), отныне будет официально именоваться «Intel 7».

По технологической норме Intel 7 уже в 2021 г. должны начать выпускаться клиентские процессоры семейства Alder Lake, а в I кв. 2022-го — серверные Sapphire Rapids.

Следующим коммерчески освоенным американской компанией техпроцессом должен стать Intel 4, известный ранее как «7 нм». Примерное превосходство его по эффективности вычислений над Intel 7 ожидается на уровне 20%, и это будет первый из технологических процессов вендора, проводимый целиком с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV) с длиной волны рабочего луча 13,5 нм. Нынешние техпроцессы, напомним, оперируют рабочим лучом с длиной волны 193 нм.

Перспективный план внедрения Intel передовых технологических процессов

Источник: Intel

Первые коммерческие поставки ЦП, созданных по технологическим нормам Intel 4 — Meteor Lake для потребительских систем и Granite Rapids для серверных, — намечены на 2023 г.

Затем должен настать черёд техпроцесса Intel 3, которому прочат превосходство по эффективности над Intel 4 на очередные 18%. Будучи просто техническим усовершенствованием предыдущей производственной нормы, этот процесс предполагается к использованию для серийного производства микросхем уже во второй половине 2023-го.

Следующим же инновационным этапом для компании станет переход от условных нанометров к не менее условным ангстремам. На смену техпроцессу Intel 3 в 2024 г. придёт принципиально новый Intel 20A, базирующийся на двух действительно прорывных технологиях, — PowerVia и RibbonFET. PowerVia (подробнее см в публикации www.bytemag.ru) 

Судя по представленной на онлайн-конференции скупой информации, RibbonFET во многом аналогична предложенной SEC технологии MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor), с помощью которой южнокорейский чипмейкер намерен штурмовать 3-нм технологические глубины в серийном производстве уже начиная с 2022 г. TSMC также собирается приступить к серийному выпуску 3-нм чипов по схожей технологии во второй половине 2022-го.

Пэт Гелсингер упомянул также в своём выступлении, что следующий по степени миниатюризации техпроцесс, Intel 18A, может быть освоен на предприятиях компании уже в начале 2025 г., когда голландская ASML сможет предоставить американскому партнёру новейшие литографические машины, работающие с ещё более коротковолновым ультрафиолетом.

Ещё одной важной темой онлайновой конференции стали новости о планах Intel переходить от плоскостных однокристальных процессоров к составным, упакованным «лицом к лицу» (транзисторными слоями один к другому) в общий корпус, — эта технология получила название Foveros. Главный элемент Foveros — обеспечивающая работу чипов в таком состоянии шина межсоединений EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge). Уже грядущие в 2022 г. серверные Xeon’ы семейства Sapphire Rapids должны стать первыми в мире массовыми составными процессорами с вертикальной упаковкой чипов.

Интересно, что Qualcomm, о грядущем сотрудничестве с которым в качестве ODM-партнёра заявила Intel, выразил заинтересованность как раз в техпроцессе 20A — поскольку текущие заказы на 5- и 3-нм чипы своей разработки он, скорее всего, продолжит размещать в рамках заключённых ранее долгосрочных контрактов на TSMC. Amazon же — точнее, её облачное подразделение AWS, — привлекают развиваемые Intel технологии упаковки составных чипов. Потому вполне вероятно, что в ближайшее время на фабриках американского чипмейкера для Amazon в единые корпуса будут заключаться, объединяемые EMIB, ARM-чипы, выпущенные той же самой TSMC.

Амбициозные планы Intel — освоить пять поколений новейших технологических норм за ближайшие четыре года и вновь вырваться в признанные мировые лидеры в своей отрасли — представляются вполне достижимыми, учитывая как славное инженерное прошлое нынешнего главы компании, так и обширнейшие компетенции её технических специалистов. Другой вопрос, позволят ли акционеры, ориентированные больше на текущие прибыли  выделить на НИОКР и возведение новых фабрик достаточно средств, сокращая тем самым объёмы выплачиваемых дивидендов (и, соответственно, доходность акций). Тем более, что конкуренты явно не намерены давать фору подотставшему сопернику, — на одну только TSMC сегодня приходится более половины мирового производства полупроводников. Впрочем, процесс пошёл, — и через четыре года всё станет ясно.