По информации Digitimes, глобальные изготовители микросхем NAND вплотную приступили к освоению технологических процессов очередного уровня, которые позволят создавать многослойные флэш-чипы с количеством слоёв 200 и более.
Так, новая фабрика Samsung Electronics в южнокорейском Пхёнтхэке, вступившая в строй во второй половине 2021 г., в текущем году нарастит выпуск 176-слойных микросхем 3D NAND. Применение к таким микросхемам принципа двойной упаковки (double-stack) разом позволит увеличить число слоёв в единичном чипе до 352.
Аналогичный подход в конце текущего — начале будущего года смогут применить японская Kioxia (совместно с Micron) и южнокорейская SK Hynix (по завершении приобретения NAND-бизнеса Intel) к своим, соответственно, 162- и 196-слойным чипам.
Китайская YMTC пока развивает выпуск лишь 128-слойных микросхем NAND, однако и такие чипы при применении double-stack окажутся в категории 200+ слоёв.
Эти совместные усилия производителей флэш-памяти станут, по оценке ChinaFlashMarket, одной причин, по которым мировой рынок NAND будет расти на интервале 2020-2025 гг. с CAGR=30%.
