Согласно заявлению Вана Жуя (Wang Rui), главы Intel China, американский чипмейкер произвёл в своих лабораториях успешный процесс литографирования СБИС по технологическим нормам Intel 20A и Intel 18A, где числом с литерой А обозначается условное предельное разрешение (минимальное расстояние между соседними полупроводниковыми элементами) в ангстремах: 10 Å = 1 нм.
При этом техпроцесс Intel 20A содержит два принципиальных новшества по сравнению с внедряемыми в настоящее время тайваньской TSMC 2-нм производственными нормами. Это транзисторы RibbonFET с окружными затворами и новая схема подачи питания PowerVia на логические элементы — с тыльной стороны полупроводниковой пластины-основания.
Эксперты отмечают, что ставка сразу на два столь кардинально новых подхода действительно способна обеспечить Intel технологическое лидерство, поскольку опережающие сегодня её конкуренты, TSMC и Samsung Electronics, предпочитают более плавное совершенствование своих техпроцессов. Однако и риски при одновременной реализации сразу двух не освоенных пока что технологий значительно выше.
Тем не менее, добившись успеха в лабораторном эксперименте, Intel уверена, что уже в первой половине 2024 г. сможет начать серийное производство чипов по норме Intel 20A — как для собственных нужд, так и в качестве контрактного поставщика для сторонних заказчиков.
