В середине марта компания SK hynix сообщила, что она завершила разработку нового поколения высокопропускной памяти HBM (High Bandwidth Memory) и уже конце марта начнет ее поставки.
Технология HBM соединяет в стек несколько чипов DRAM, за счет чего существенно улучшается скорость обмена данными по сравнению с обычной оперативной памятью DRAM. Потребность в применении HBM сейчас резко возросла в связи с массовым внедрением приложений Искусственного Интеллекта (AI), производительность которых сильно зависит от скорости обмена данными между процессорными ядрами и оперативной памятью компьютеров.
Модули HBM3E (расширенная версия HBM3), стек которых состоит из 12 чипов, изготавливаются с помощью усовершенствованной фирменной технологии SK hynix MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill) и обеспечивают пропускную способность до 1,18 Тбайт/сек, а также на 10% уменьшают тепловыделение по сравнению с HBM3. Максимальная емкость одного модуля HBM3E равна 36 Гбайт.
