В конце октября компания Kioxia начала производство встроенной флэш-памяти Universal Flash Storage (UFS) Ver. 4.0, в которой используется технология quadruple-level cell (QLC), обеспечивающая благодаря усовершенствованиям контроллера и механизма коррекции ошибок запись в одну ячейку памяти четырех битов. QLC UFS увеличивает плотность записи по сравнению с памятью Triple-Level Cell (TLC) UFS, записывающей в одну ячейку по три бита, и найдет применение в мобильных устройствах, которым требуется повышенная емкость памяти.
Выпускаемые Kioxia модули памяти QLC UFS емкостью от 256 Гбайт до 1 Тбайт и размером 9×13 мм обеспечивают скорость последовательного чтения и записи данных соответственно до 4200 и 3200 Мбайт/сек. Как считает вендор, они будут использоваться как в смартфонах и планшетах, так и в ПК, сетевом оборудовании, устройствах AR/VR, IoT, и AI, а также в камерах систем видеонаблюдения, промышленных сканерах и PoS-терминалах.
