Специалисты ОАО «Ангстрем» по заказу ОАО «Российские космические системы» (Роскосмос) разработали два типа транзисторов, стойких к неблагоприятным факторам космического пространства. Необходимость разработки объясняется тем, что использование в космической аппаратуре стандартных транзисторов и микросхем ограничено, особенно на высоких орбитах и в дальнем космосе, где нужны специальные радиационно-стойкие изделия, так как космические аппараты лишены защиты магнитного поля Земли.
Сложная ситуация в отечественной промышленности в 90-х годах привела к тому, что для создания космических аппаратов использовалось большое количество зарубежной электронной компонентной базы (ЭКБ), зачастую коммерческого уровня. После ряда инцидентов российскими властями было принято решение запретить отправлять в космос изделия, ЭКБ которых не является стойкой к воздействию ТЗЧ.
Подобные изделия, стойкие к тяжелым заряженным частицам (ТЗЧ), выпускает всего одна компания в мире, однако их поставки в Россию в последнее время значительно ограничены. Поэтому в 2012 г. «Роскомос» поручил ОАО «Ангстрем» разработать первые в России серии транзисторов, которые позволяют создавать аппаратуру для работы в околоземном пространстве, а также в сложных условиях на земле.
Первое поколение российских транзисторов серии 2ПЕ203, 2ПЕ204 появилось в 2014 г. Они были рассчитаны на напряжение от 30 до 100В и были устойчивы к воздействию ТЗЧ с энергией не менее 60 МэВ·см2/мг.
В 2016 г. были проведены испытания опытных образцов уже 2-го поколения транзисторов стойких к воздействию ТЗЧ - 2ПЕ206А9 и 2ПЕ207А9. При той же радиационной стойкости они рассчитаны на повышенное напряжение работы ( 140 и 200 В соответственно). Завершение ОКР и включение транзисторов в перечень ЭКБ запланировано на ноябрь 2016 г.
По словам руководителя направления разработки силовой электроники ОАО «Ангстрем» Татьяны Крицкой, эти транзисторы должны заменить иностранные аналоги, что обеспечивает независимость отечественной космической программы от зарубежных производителей. А в скором времени «Ангстрем» должен закончить разработку еще более совершенных транзисторов 3-го и 4-го поколений, которые будут превосходить импортные образцы и имеют все шансы потеснить их на международном рынке.