Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы System-on-Chip (SoC) по техпроцессу 10-нм FinFET. Новый процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет передовую транзисторную 3D-структуру. Его операционная технология и дизайн были улучшены по сравнению с предыдущей 14-нм версией, что обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 40%, а также снижение энергопотребления на 40%.
Для снятия ограничений масштабирования в новом решении используются новейшее техническое решение — тройное структурирование. Оно обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями.
Ранее компания представила первое поколение решений по техпроцессу 10-нм (10LPE). Второе поколение (10LPP) обладает улучшенной производительностью, старт его массового производства намечен на вторую половину 2017 г.
Система SoC по техпроцессу 10-нм будет использоваться в цифровых устройствах с начала следующего года. Ожидается, что массовому потребителю они станут доступны в течение 2017 г. В частности, предположительно новинки будут использованы в смартфоне Galaxy S8, релиз которого должен состояться в начале 2017 г.
