Samsung Electronics объявил о начале массового производства нового поколения V-NAND флеш-памяти. Новые чипы будут включать 90 слоев ячеек в отличие от предыдущих, реализованных на базе 64 слоев.
По оценкам компании, память нового поколения будет обладать максимальной скоростью передачи данных в отрасли, на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.
Несмотря на гораздо более высокое быстродействие, энергоэффективность новых V-NAND флэш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 В. Подробнее о характеристиках новой памяти см на www.bytemag.ru.
В дополнение к новой линейке V-NAND модулей Samsung готовится представить 1-терабитные (Tб) и четырехуровневые QLC-чипы, что станет заделом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения.
