Соглашение предусматривает постановку на АО «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Её использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может быть даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.
Техпроцесс новой технологии производства транзисторов на основе карбида кремния разработан специалистами японской компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» (JAPAN SEMICONDUCTOR ENGINEERING & CONSULTING). Третья сторона соглашения, китайская компания «Тайжоу бийонд технолоджи» (TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY), берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении 5 лет, а затем может быть продлено.
Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достичь нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для АО «Ангстрем» и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC.
«Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2000 наименований.
