Компания Samsung Electronics объявила об организации массового производства модулей оперативной памяти нового поколения для будущих флагманских смартфонов и фаблетов.
Речь идёт об изделиях LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 4X) ёмкостью 12 Гбайт. Они объединяют шесть 16-гигабитных чипов в единой упаковке. При производстве применяется 10-нм технология второго поколения.
Отмечается, что толщина модулей составляет всего 1,1 мм. Это позволит оптимизировать внутреннюю конструкцию сотовых аппаратов, высвободив больше места, скажем, для аккумуляторной батареи.
Вообще компания производила модули памяти аналогичного объема и до сегодняшнего дня (они, к примеру, используются в топовой версии Samsung Galaxy S10+), но сейчас речь идет о 10-нм памяти LPDDR4X, в то время как до этого выпускалась память LPDDR4 по техпроцессу 20 нм.
Samsung заявляет, что наличие 12 Гбайт оперативной памяти в смартфонах откроет новые возможности. Такие аппараты смогут использовать более пяти камер, передовые средства искусственного интеллекта, большие экраны высокого разрешения, сервисы связи пятого поколения (5G) и пр.
Судя по всему, 12-Гб память DRAM PDDR4X появится уже в следующих моделях Samsung флагманской серии Galaxy S. Вероятно, она будет использоваться в Galaxy S10 5G. Также этот смартфон может получить и память eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) объемом 512 ГБ, массовое производство которой началось в феврале.
Напомним, что в последних числах февраля южнокорейский гигант представил также флэш-накопители eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт для смартфонов верхней ценовой категории. Эти изделия обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 2100 Мбайт/с. Во второй половине текущего года планируется начать серийное производство модулей eUFS 3.0 вместимостью 1 Тбайт.
