Компания Samsung заявила о завершении разработки техпроцесса с проектными нормами 5 нм и, более того, объявила о начале приёма заказов на выпуск 5-нм решений для производства на мультипроектных пластинах. Это означает, что Samsung готова принимать цифровые проекты чипов с нормами 5 нм и выпускать опытные партии рабочего 5-нм кремния. Все это благодаря её преимуществу первопроходца полупроводниковой литографии с применением сканеров диапазона EUV.
Быстро перейти от предложения 7-нм техпроцесса с EUV на производство 5-нм решений также с EUV компании помогло то обстоятельство, что Samsung сохранила совместимость проектных элементов (IP), инструментов проектирования и контроля. Кроме прочего это означает, что клиенты компании сэкономят средства на приобретение средств проектирования, тестирования и готовых IP-блоков. Наборы PDK для проектирования, методология (DM, design methodologies) и платформы автоматического проектирования EDA стали доступны ещё в рамках разработки чипов для 7-нм норм Samsung с EUV в четвёртом квартале прошлого года. Все эти инструменты обеспечат разработку цифровых проектов также для техпроцесса 5 нм с транзисторами FinFET.
По сравнению с 7-нм техпроцессом с использованием сканеров EUV, который компания запустила в октябре прошлого года, техпроцесс с нормами 5 нм обеспечит увеличение эффективности использования площади кристалла на 25 %. Также переход на 5-нм техпроцесс позволит компании либо снизить на 20% энергопотребление чипов, либо повысить на 10% производительность решений. Ещё одним бонусом станет сокращение числа фотомасок, которые необходимы для производства полупроводников.
Выпуском продукции с использованием сканеров EUV компания Samsung занимается на заводе S3 в городе Хвасон. Во второй половине текущего года компания завершит строительство нового производства рядом с Fab S3, которое в следующем году будет готово выпускать чипы с использованием EUV-техпроцессов.
