Южнокорейская компания Samsung представила первую в мире серийную СБИС оперативной памяти DDR5 DRAM, способную хранить 32 Гбит данных. Выполненные по новейшему (именно для микросхем памяти, производственные нормы для которых миниатюризируются сложнее и дольше, чем для процессоров) 12-нм технологическому процессу, эти чипы открывают новые возможности для уплотнения подсистем ОЗУ на всех уровнях, от конечнопользовательского до гиперскейлерского. Так, при стандартной компоновке компьютерного модуля DIMM на одной стороне его монтажной платы размещаются 8 микросхем, а здесь использование 32-Гбит новинок Samsung обеспечит суммарную ёмкость такого модуля в 32 Гбайт.
Серверная память повышенной плотности комплектуется пакетами микросхем DRAM (технология 8-Hi 3DS), так что созданные на основе 32-Гбит чипов (точнее, пакетов из них) модули серверного ОЗУ смогут теперь достигать ёмкости 1 Тбайт. Это особенно важно для бурно развивающихся сегодня направлений искусственного интеллекта (ИИ) и облачных вычислений в целом: достаточно бюджетный односокетный сервер (например, на платформе AMD EPYC 9004) сумеет таким образом адресовать непосредственно до 12 Тбайт ОЗУ, что ощутимо ускорит работу с обширными базами данных и генеративными ИИ-моделями, которые тем быстрее выдают конечный результат, чем меньше времени затрачивается на перемещение информации между средами постоянного и временного хранения (накопителем и оперативной памятью).
На сегодня наиболее распространённые чипы DDR5 DRAM характеризуются ёмкостью 16 Гбит, реже встречаются 24-Гбит варианты. Серийные 32-Гбит их последователи, уверяют в Samsung, окажутся на 10% энергоэффективнее в некоторых серверных приложениях. Начало массового производства СБИС нового типа запланировано на конец 2023 г. Несущие их модули DIMM появятся прежде всего, надо полагать, в составе персональных компьютеров, поскольку одобрение любых новых комплектующих для использования в серверных платформах требует значительно более интенсивного цикла предварительных испытаний.
