Компания Samsung Electronics объявила о разработке производства 16-гигабитных модулей оперативной памяти DDR5 DRAM с использованием технологического процесса 12 нанометров.
По заявлению вендора, использование DDR5 DRAM 16 Гбайт обеспечить скорость обмена с оперативной памятью до 7.2 Гбит/сек, а также снизит энергопотребление модуля на 23% по сравнению с предыдущим поколением DDR4 DRAM.
Также объявлено о завершении сертификации этого нового продукта на совместимость с компьютерной платформой AMD Zen.
Samsung планирует запустить DDR5 DRAM 16 Гбайт в массовое производство в течение 2023 г. Ранее в середине октября корейский электронный гигант начал производить по технологии 14 нанометров модули DDR5 DRAM емкостью 16 Гбайт.
