В начале мая компания Inspur Electronic представила новое поколение своих твердотельных накопителей корпоративного класса NVMe SSD.
Как заявляет вендор, благодаря использованию в этих накопителях усовершенствованной технологии NAND жизненный цикл флэш-памяти увеличивается на 40%. А за счет применения интерконнектов PCIe 4.0 ultra-wide channel и интерфейса ZNS (Zoned Namespace) обеспечена повышенная производительность ввода/вывода одного накопителя — на уровне 1,6 млн IOPS.
Также в новых накопителях Inspur усовершенствованы операции чтения данных из флэш-памяти, благодаря чему улучшена ее надежность. Средняя наработка на отказ (MTBF) теперь составляет 2,6 млн часов.
